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中国的芯片发展起步较晚，其中技术能困住中国一时，但恐怕无法长期成为中国的软肋

所以，荷方持续对中国输送光刻机，能加深中国对荷兰的依赖，若是中国在未来成功研制出来，荷兰也能借由这层关系，与中国展开合作，避免本国市场被中美挤压殆尽

使用了一下，外形挺简洁，放DVD很好用，刻录暂时没用。安装简单，读取速度快，希望可以使用期限可以久一些。京东得物流依旧是很不错

光刻机的作用光刻机是用来制造芯片的

光刻机又被称为掩膜对准曝光机，在芯片生产中用来光刻工艺，而光刻工艺又是生产流程中最关键的一步，所以光刻机又是芯片生产中不可缺少的设备

光刻机决定了芯片的精密尺寸，设计师设计好芯片线路，再通过光刻机将线路刻在芯片上，其尺度通常在微米级以上

这就是光刻的作用，类似照相机照相

照相机拍摄的照片是印在纸片上，而光刻刻的不是照片，而是电路图和其他电子元件

光刻机就是将光罩上的设计好集成电路图形通过光线的曝光印到光感材料上，形成图形

之后理论上数值孔径还能够再提升，比如达到0.7等，但已经没太多必要了，非常不值得，因为成本太高了，难度太大，估计0.55NA就是顶点了

而0.55NA数值孔径的EUV光刻机，其处理极限可能也就是2nm、1.8nm左右，而INTEL也计划用它在2025年左右，量产2nm、1.8nm的芯片

也就是说如果要制造1.8nm以下的芯片，可能EUV光刻机就无法胜任了，要推出全新一代技术，至于是什么技术，目前业界还没有定论

目前美国有公司推出了EBL电子束光刻机，可以生产0.768nm的芯片，但无法大规模量产

京东快递就是快，昨天晚上下单，第二天上午就到货了，已经安好了，试了一下非常满意。读盘很安静，几乎没有噪音。附送的软件很实用

ASML表示，他们计划将产能增加到 90 个 EUV 和 600 个 DUV 系统（2025-2026 年），同时还将 High-NA EUV 产能增加到 20 个系统（2027-2028 年）

与2021年42套EUV系统销量相比，相当于EUV光刻机产能直接增加210%+了，这应该是ASML拿出来的最大诚意了

像intel、台积电、三星等巨头，则是三大光刻技术，都在押注，以免万一某一种技术突然崛起，把自己搞得措手不及

据说这样一台光刻机设备，要人民币30亿元

全世界生产光刻机最权威、最领先、最具实力的企业，就是荷兰的ASLM公司这家公司不是单兵作战，背后有美国和欧盟的强力支持光刻机的生产部件来自很多国家，有一万多部件组成

还有日本两家公司也生产：佳能、尼康

芯片是干什么用的？这个问题可能有人会笑，意思是太初级，太简单；是的，芯片的用途有人可能不知道，但是，全世界的每个人几乎都在用芯片，这话没夸张，是实话！芯片的用途：手机、高铁、汽车、电网、家用电器、医疗设备、各类自动化设备等芯片的作用：进行运算，处理各类任务，输出数据和指令

虽然看起来28nm距离最先进的3nm依然有不小的差距，但实际上无论是日常生活还是航空航天等领域中28nm是使用最广泛的芯片制程

一旦28nm光刻机取得突破，也标志着在物联网、智慧工业、航空航天等领域可以完成自主可控

ASMLASML突然加大出口力度在国产光刻机即将取得突破的同时，ASML突然一反常态开始加大光刻机的出口力度

每台价格至少3亿欧元

读盘速度：读取速度超级快4K蓝光整盘读取最快5分钟搞定！ 读盘声音：静音效果好，不会出现明显共振和跳盘及其他杂声噪音问题出现。 稳定性能：支持UHD 的4K蓝光盘读写！这点非常棒，是我买这款光驱最重要的原因。稳定性非常好，连续读写不降速。 轻薄程度：正常5.25光驱位或者移动光驱盒都能非常完美安装。 外形外观：外观漂亮，新款带类钢琴烤漆面的一体式面板，比老款好看很多。 产品包装：包装精致，不知道是不是因为是国内总代的关系，所有一次性封贴都是索厉的。

具体是将入射光照射在透镜表面的小探针上，然后探针表面的电子就会有序的震荡，从而激发产生波长非常短的等离子体，然后在光刻胶上刻出非常小的图形

而ASML的光刻机，是将激光束经过一些列反射整形后，过滤掉衍射，然后投射经过光刻模板，再投射到硅片上

一直用的这个品牌的，质量非常好，还没上手用新买的，希望能够好用，一次买了两个，办公方便。

例如，该光刻机已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平

当前有能力采用价格昂贵的EUV光刻机的客户其实只有Intel、台积电和三星，它们目前推进的最先进工艺为3nm，然而台积电的3nm被指在性能参数方面远未达到预期，这已导致苹果放弃了3nm，迫使台积电进一步改良3nm工艺至N3E

随着光刻机变得更加负责，光刻机的耗电量也在激增，业界人士指出High-NA EUV光刻机的总功耗将达到200万瓦的水平，每天耗电量将达到4.8万度电；如今台积电仅是推进至5nm工艺，它消耗的电力已占中国台湾省的8%，业界预期推进至3nm之后它消耗的电力将占中国台湾的12%

据悉，建设包括 FAB 生产厂房、OS 生产调度及研发大楼、CB 综合楼、WH 仓库、CUB 动力站等大型群体工程

项目完成后，可实现年产能约 36 万片 12 英寸功率器件晶圆片，主要生产 MOSFET、GaN FET、SiC FET 等功率器件产品

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