之后理论上数值孔径还能够再提升,比如达到0.7等,但已经没太多必要了,非常不值得,因为成本太高了,难度太大,估计0.55NA就是顶点了
而0.55NA数值孔径的EUV光刻机,其处理极限可能也就是2nm、1.8nm左右,而INTEL也计划用它在2025年左右,量产2nm、1.8nm的芯片
也就是说如果要制造1.8nm以下的芯片,可能EUV光刻机就无法胜任了,要推出全新一代技术,至于是什么技术,目前业界还没有定论
目前美国有公司推出了EBL电子束光刻机,可以生产0.768nm的芯片,但无法大规模量产
而俄罗斯在研究X射线光刻机,没有光掩模板,直接光刻,据称可以用于1nm芯片,但没有样品出来
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不管是台积电,还是三星,或者intel,都不敢也不能得罪ASML,否则不卖EUV光刻机给你,就“芭比Q”了
按照ASML CTO的说法,到2025年时,ASML会推出全新一代的极紫外线光刻机,型号会是NXE:5200,其采用的数值孔径会达到0.55NA,数值孔径越大,精度越高
国家支持的光刻机企业
说起EUV光刻机,大家都非常熟悉了,这是生产7nm及以下芯片时,必须使用的光刻机
更重要的是全球仅有ASML一家厂商能够生产,可以说ASML卡住了全球芯片制造企业的喉咙,大家要生产7nm及以下的芯片,就必须找ASML
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那么EUV光刻机技术,能够一直卡住芯片制造企业的脖子,让大家无法拒绝么?并不是的,只怕到2nm时就要走到尽头了,无法再继续支持1.4nm、1nm这样的更高工艺的芯片了,到这些工艺时,EUV光刻机也光刻不了,要更换新技术了
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