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2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中，IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点的规划，其中明确了两代EUV光刻技术代差：1，2023-2026年，将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14（14Å）节点；2，2026-2032年，将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点

这款光源对应上图的位置是1994年

当然，我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节；亦即达到193nm浸没式光刻水平，那么对应上图的位置是2005年左右

读盘速度：读盘速度快，我喜欢。读盘声音：声音也不大，不像二手的。稳定性能：性能也很稳定。非常好用，以前不能读取的光盘现在可以了。刻录功能是我的首先。还没试，稍后有空再操作！

稳定性能：非常稳定 读盘速度：速度快 读盘声音：无噪音 外形外观：精致美观 轻薄程度：轻薄

先锋的刻录机非常好，老品牌了，以前就经常使用，质量好，价格实惠，非常满意，快递非常快！

中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式

同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力

因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式

2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势

很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年

在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机