在微观结构上，N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET
根据这些数据，权威硬件新闻网站Tom's Hardware的报道者表示，总体来看，N2的全世代制程较之前有明显的性能和耗电改观
参考资料：https://www.tomshardware.com/news/tsmc-reveals-2nm-fabrication-processhttps://www.reuters.com/technology/tsmc-says-it-will-have-advanced-asml-chipmaking-tool-2024-2022-06-16/https://www.anandtech.com/show/17452/tsmc-readies-five-3nm-process-technologies-with-finflexhttps://www.elecfans.com/news/1783961.html
作为全新的芯片制作工艺平台，N2制程的核心创新在于两点：纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）
台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」（GAA nanosheet transistors），晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了电能泄漏
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6月16日，台积电在2022年度北美技术论坛上，官宣将推出下一代先进制程N2，也就是2nm制程
2nm来了，终结FinFET一直以来，包括7nm、5nm在内的芯片制程都采用的是FinFET晶体管技术
台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持
也就是说，GAA (gate-all-around，简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律
据称，台积电N2将使用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术，于2025年开始量产
N2在性能、功效上有明显提升，不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大
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