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后来国家为了解决这一难题，除了抓紧整机制造，还开始扶持一系列配套产业链的发展，在不懈努力下，光刻机产业也成功在2016年实现90nm的光刻机量产
同年，中国的清华大学团队和华卓精科成功研发了光刻机双工作台系统样机，至此中国光刻机技术水平达到除ASML外的“外国”同步水平
中国离7nm光刻机还有多远?
因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破，才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年，我国步入计算机科研，国家也正是成立了计算机科研小组，而此时的中国相对于外国来讲，GDP仍然差距较大
直到1956年，我国正式开始重视半导体产业，并且成功研制出第一只晶体三极管，从此中国进入半导体的新纪元，然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
历时20年之久，中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破，中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性，开始探讨突破193nm的方法
而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作，并且成功在2010年正式研发出第一台EVU原型机
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澄星股份电池光刻机
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1961年，美国GCA公司成功制造出第一台接触式光刻机，再加上新中国建立初期，美国、英国等17个国家就成立了国际巴黎统筹委员会，主要是为了限制成员国向发展中国家出口物资和高新技术，中国也在封禁的行列之中
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然而就在2019年，美国突然宣布对华为实施制裁，并且将制裁范围从芯片扩展至其他更多的领域，光刻机对华销售也在其中
而此时的中国，小于5nm的芯片晶圆只能依靠ASML的EVU光刻机生产，迫于美国的压力，荷兰只能妥协，中国因此迎来光刻机发展的第三次“卡脖”