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紫外光刻机相关股票
芯片厂商打响“2nm 工艺战”
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用于大批量制造，以创建先进的微芯片（7 nm、5 nm 和 3 nm 节点）高度复杂的基础层，并支持新颖的晶体管设计和芯片架构
日前，在 2022 SPIE 高级光刻会议上，ASML 介绍了 EUV 的最新进展
根据 ASML 最新消息，新款 EUV 光刻机正在研发中，NA 将从 0.33 增加到 0.55（NA 是光学系统的数值孔径，表示光线的入射角度），2nm 工艺的芯片都将依赖其实现
即便如此，0.55 NA EUV 光刻机还是得到了芯片厂商的火热预购
毕竟，这是研发 2nm 工艺的芯片的必选项
在各大芯片厂商中，英特尔的速度最快
今年 1 月 19 日，英特尔向 ASML 订购了最新款高 NA EXE:5200 光刻机
为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机？光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一，它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定
更短的波长可以打印出更小的特征；更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线，也能够带来更好的分辨率
在今年 6 月 17 日举行的技术研讨会上，台积电研发高级副总裁米玉杰表示：“展望未来，台积电将在 2024 年引入高数值孔径的极紫外（高 NA EUV）光刻机，为的是开发客户所需相关基础设施和模式解决方案，进一步推动创新
在发力 0.33 NA EUV 光刻机的同时，ASML 也在冲刺研发 0.55 NA EUV 光刻机
ASML 高 NA 系统路线图ASML 发言人向媒体介绍，更高的光刻分辨率将允许芯片缩小 1.7 倍、同时密度增加 2.9 倍
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