这比ASML目前在售的双工件台EUV光刻机大概又贵了一倍
此前就有调侃说，一台EUV光刻系统相当于一架F22/35战机
此前Intel表示自己是全球第一个下单的客户，台积电也跟进了，三星和SK海力士则尚未表态
这种方式虽然增加了功耗，但对于那些对功耗并不敏感的产品来说，似乎也是可行的一种思路，那么我们真的有必要用到更贵的高NA EUV光刻机进一步提升密度吗？这个问题的答案其实不言而喻了，英特尔、台积电等晶圆厂提前预订的高NA EUV光刻机订单已经证明了它的重要性
光刻机投影系统双远心结构的作用
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特别是用于生产制造2nm、1.8nm等制程的High-NA EUV光刻机初期版本将于明年年末引进，预计2025年末将正式商用
ASML明年交付首台High-NA EUV光刻机ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前公司正有序推行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术
所谓high-NA即高数值孔径，从当前的0.33提升到0.55，从而允许更紧密的电路图案（2nm及以下）和更高的生产效率
据报道，高NA EUV光刻机系统的单台造价将在3亿到3.5亿欧元之间，约合人民币21.95到25.61亿元
ASML正在准备向客户交付首台High-NA EUV光刻机，大概会在明年某个时间点完成
据悉，High-NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦
主要原因是因为光源，High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦，ASML还使用水冷铜线为其供电
2nm、1nm全靠它!High-NA EUV光刻机2025年末将正式商用
超级好的光速啊，十年前买的一个一直都在用，用不坏的先锋，还会再买这个牌子的。。。。
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