据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm
当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行
在测试中,进行到第三次曝光时,晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值,甚至有时候会低于20%了
如果进行第四次曝光,估计良率会低到离谱,至于第五次、第六次,根本不用想了,良率会接近于0%
目前像ASML的DUV光刻机,一般最多也只进行两次曝光,很少进行多次曝光,因为会大幅度的降低良率,造成成本上升,这是得不偿失的