而要生产2nm的芯片,数值孔径要变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案,同时单次构图间距低于30nm
这种新的EUV光刻机叫做型号,就叫做EXE:5200,目前ASML已经有了规划,预计在2024年底,或者2025年交付
众所周知,制造7nm及以下工艺的芯片,需要用到EUV光刻机,而全球仅有ASML能够生产
ASML在2015年,就推出了第一代EUV光刻机WINSCAN NXE:3400B,之后在2019年推出了NXE:3400C,2021年推出了NXE:3600D