用于大批量制造,以创建先进的微芯片(7 nm、5 nm 和 3 nm 节点)高度复杂的基础层,并支持新颖的晶体管设计和芯片架构
日前,在 2022 SPIE 高级光刻会议上,ASML 介绍了 EUV 的最新进展
根据 ASML 最新消息,新款 EUV 光刻机正在研发中,NA 将从 0.33 增加到 0.55(NA 是光学系统的数值孔径,表示光线的入射角度),2nm 工艺的芯片都将依赖其实现
另据韩媒 Business Korea 报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造 2 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶台积电