它的验收成功,也标志着我国研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备,具有重大意义
因为,超分辨率光刻机与ASML光刻机采用了完全不同的技术路线
ASML最出名的当属EUV光刻机和DUV光刻机
EUV指的是极紫外光,它可以制造7nm以下的芯片,使用的是13.5nm波长的光源
我在之前的视频里讲过,华为的光源专利,其目的就是先对强光源进行去相干处理,以达到匀光效果,这样才能保证光刻工艺的正常进行
ASML光刻机的精度跟光源的波长、物镜的数值孔径是有关系的,波长越短越好,刻机分辨率就越高,制程工艺越先进