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步进光刻机光刻工艺参数的优化

不过据称，NXE:3600D型号的EUV光刻机，支持的工艺可能仅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度还要提升，需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行

而光刻精度怎么提升，就是数值孔径的提升了， 前几代光刻机，比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的，解析度（精度）为13nm，单次构图间距为32nm到30nm

而要生产2nm的芯片，数值孔径要变为0.55NA，也就是解析度（精度）为8nm，这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案，同时单次构图间距低于30nm

这两款芯片都是台积电代工生产的，并且采用的是FinFET架构

台积电5nm虽然已经量产，但产能还是很有限，还在持续提升中

这也算是为两家企业2-3nm制程的市场之战吹响了号角

为了抢在台积电之前完成3nm的研发，三星的芯片制造工艺由5nm直接上升到3nm，4nm则直接跳过

紧接着7nm的到来，英特尔还是无法实现突破，同时美国另一家芯片代工巨头格芯也是在7纳米制程中倒下

2020年，制程开始进入5nm时代，只有三星和台积电可以一拼

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也就是市场上所说的成熟制程领域，集中在２８纳米和１４纳米

中国目前国内的目光都集中在上海微电子的28纳米DUV光刻机交付进展

而根据美国媒体的消息，美国政府正在推动对中国出口１４纳米制程设备的禁令

如果消息属实，那将使我们的半导体产业环境更加困难

近日国内光刻机产业链的企业之一，传芯半导体公开宣布已经20余项EUV光刻机技术专利，加上此前在激光光源、工作台、镜头等方面所取得的成果，国产EUV光刻机已取得了重大进展，或许数年后国产EUV光刻机就将量产，这正让ASML后悔莫及

ASML另一重担忧则是中国光刻机技术的快速发展，可能成为它的竞争对手，中国制造此前的事实一再证明，只要中国取得突破的技术，那么量产的产品往往比海外竞争对手的便宜许多，在成本方面ASML根本就不是中国同行的竞争对手

美媒:美国再施压荷兰禁止对华出口光刻机

如果荷兰同意美方要求，将大大拓宽目前禁止卖到中国的芯片制造设备的范围和类别，可能使中国芯片制造商受到影响

知情人士告诉彭博社，美国官员正在游说荷兰政府禁止ASML出售其一些较旧的深紫外光刻机（DUV）

这些机器比最先进的设备落后了一代，但仍然是制造汽车、电话、计算机甚至机器人所需的某些不太先进的芯片的最常用设备

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其次，美光绕开EUV光刻机制造出了能效提升25%、存储密度提升30%、功耗降低20%的高性能DRAM芯片，日本佳能、铠侠联手成功研制出纳米压印微影（NIL）工艺技术，将高端芯片的制造成本降低了40%左右

老美对于EUV光刻机近乎歇斯底里的管控，引起了ASML公司的极度不满，该公司CEO彼得・维尼克曾多次向老美发出警告：如果不卖给中国EUV光刻机，用不了几年，中国人就会找到有效地解决方案，拉下EUV光刻机时代的帷幕

“国内并不缺乏优秀的芯片设计企业，芯片设计能力全球领先，只不过是国内没有能够制造高端芯片的企业罢了

当然，目前NIL光刻机还不能与EUV光刻机相比，NIL光刻机远远达不到EUV的精度，但未来能可就说不准了

DSA光刻，目前没有一定特定的厂商在下注，就像佳能对于NIL技术一样

但如下图所示，在NIL、EUV、DSA三大光刻机上，巨头们都早已布局了

这对于一般的晶圆企业而言，是不可承受的成本，所以一直以来，业界都探讨EUV光刻机的替代方案

目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种，分别是1、纳米压印光刻（NIL）；2、直接自组装（DSA）光刻；3、电子束光刻（EBL）

步进光刻机鉴定机构

ZyvexLitho1套件还包括配置用于构建量子器件的 ScientaOmicron 超高真空 STM

这也使得ZyvexLitho1系统具备其他任何商业扫描隧道显微镜不具备的功能和自动化功能，包括：能够实现无失真成像、自适应电流反馈回路、自动晶格对准、数字矢量光刻、自动化脚本和内置计量

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当然，由于这两个项目是2018年1月便启动的项目，先于美国的光刻机制裁，因此其立项根据、任务指标等可能与当前的光刻机困局的境况并不匹配

我相信它们依然是基于长期的攻关目标而设定的

可能看到了苹果M1 Ultra处理器在芯片堆叠技术的大获成功，以及最近非常火热的小芯片技术，感觉3D技术会很香，让日本厂商看到了在此翻身的希望

写在最后，光刻机市场一时间风起云涌，相信这一定让ASML非常担心，担心自己的垄断地位不保，前几天ASML一哥还放软话，“不是我们不愿意卖，而是受政府限制

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