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我国造出新技术路线光刻机
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具体是将入射光照射在透镜表面的小探针上,然后探针表面的电子就会有序的震荡,从而激发产生波长非常短的等离子体,然后在光刻胶上刻出非常小的图形
而ASML的光刻机,是将激光束经过一些列反射整形后,过滤掉衍射,然后投射经过光刻模板,再投射到硅片上
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另一个DUV光刻机,可以制造7nm以上的芯片,其中的DUV是深紫外光的意思,使用193nm波长的光源
所以很明显,我们的超分辨率光刻机的光源波长,要比他们大很多,这是因为技术原理上的差异导致的
超分辨率光刻机的工作原理是这样的,它采用表面等离子体超分辨光刻(surface plasma),也叫表面等离子超衍射光刻,是最近十几年兴起的一种新技术
我在之前的视频里讲过,华为的光源专利,其目的就是先对强光源进行去相干处理,以达到匀光效果,这样才能保证光刻工艺的正常进行
ASML光刻机的精度跟光源的波长、物镜的数值孔径是有关系的,波长越短越好,刻机分辨率就越高,制程工艺越先进
它的验收成功,也标志着我国研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备,具有重大意义
因为,超分辨率光刻机与ASML光刻机采用了完全不同的技术路线
ASML最出名的当属EUV光刻机和DUV光刻机
EUV指的是极紫外光,它可以制造7nm以下的芯片,使用的是13.5nm波长的光源
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中国光刻机曝光系统
我们国家在4年前,曾经研制出一种特别的光刻机,但是很少有人知道,它的名字叫超分辨率光刻机,这台光刻机可是哟经365nm波长实现22nm工艺制程,通过多重曝光等手段,还可以实现10nm以下的工艺制程
在此基础上,项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺,未来能够实现10纳米以下特征尺寸图形的加工
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