随着光刻机变得更加负责，光刻机的耗电量也在激增，业界人士指出High-NA EUV光刻机的总功耗将达到200万瓦的水平，每天耗电量将达到4.8万度电；如今台积电仅是推进至5nm工艺，它消耗的电力已占中国台湾省的8%，业界预期推进至3nm之后它消耗的电力将占中国台湾的12%
近期光刻机巨头ASML频频向中国芯片释放善意，与此前的态度截然不同，让人摸不着头脑，直到近期它的高管发言或许能解释这一原因，中国市场已成为它最后的蛋糕了，能卖一台赚一台
一方面是光刻机的技术逐渐达到极限，继续升级已不太可能；另一方面是设备自身成本以及生产成本的激增，这就导致ASML自己都担忧这些先进光刻机未来还有多大需求，而快速发展的中国市场则可望成为台积电最后的希望
当前的EUV光刻机技术是通过将镜头放在液体里，通过液体和镜头等的多重折射最终打印出更小的结构，从而制造更先进的工艺，然而这种方式随着向更先进的工艺推进，这种方式导致光刻机日益笨重，光刻机自身的成本也因此激增，第一代EUV光刻机的价格达到1.2亿美元，预计High-NA EUV光刻机售价将达到4亿美元
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重庆奥特斯光刻机
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值得注意的是不仅ASML将希望放在中国市场，韩国存储芯片、美国芯片都将希望放在中国市场，它们目前都希望中国企业采购更多芯片，帮助它们解决芯片库存，确保现金流，为此甚至不惜大举降价抛售，与此前它们大举涨价销售芯片形成鲜明对比，这不免让人感叹一年河东、一年河西
光刻机事业已到尽头
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当前有能力采用价格昂贵的EUV光刻机的客户其实只有Intel、台积电和三星，它们目前推进的最先进工艺为3nm，然而台积电的3nm被指在性能参数方面远未达到预期，这已导致苹果放弃了3nm，迫使台积电进一步改良3nm工艺至N3E
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