实际上，就在今年年中的时候，台积电方面就表示，将CEFT晶体管技术作为未来的发展重点，且将CFET作为GAAFET的接班人，GAAFET是3纳米和2纳米工艺的晶体管技术，3纳米之前采用的是FinFET晶体管，英特尔方面也在大力发展CEFT晶体管
简单来说，复旦大学成功实现了CFET晶体管，该晶体管在当前的应用特点，是可以实现集成度的翻倍，这与提升芯片制造工艺的结果是一样的，因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度
因此我们就可以看到，将芯粒、CFET和先进封装结合起来，就可以实现异质异构芯片，异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比，性能上并不占有劣势，但是成本上却占有极大优势
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正相反，台积电反而开始积极扩建28纳米等成熟工艺工厂
这还只是同质异构芯片刚刚被应用的开始，而异质异构芯片量产后，这种趋势将会更加明显
而ASML或许始料未及，中国在芯片技术上的发展会如此之快，因为在CFET晶体管技术上，ASML的盟友比利时微电子也将此作为未来的技术发展方向，但现在复旦大学却已经实现了
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这两种技术的结合，在一定程度上减少了先进工艺的采用，因为这种新技术不仅降低了成本，同样可以做到芯片性能的提升，本质上来说，还是因为在芯片的设计环节起到了关键作用，而现在，复旦大学在芯片的底层技术，也就是晶体管技术上实现了突破
所以产业界开始寻找减少对先进工艺依赖的方法，目前已经取得了不错的成绩，即芯粒和先进封装技术
我们现在的芯片，本质上是同质同构，也就是采用同样的材料和同一种芯片架构
而芯粒技术，就是采用不同的芯片架构，在芯片制造的后端环节，利用先进封装，再将不同架构的芯片集成到一起，形成一颗“大芯片”，所以芯粒也被叫做“小芯片”技术