即便有了光刻机
这两种技术的结合，在一定程度上减少了先进工艺的采用，因为这种新技术不仅降低了成本，同样可以做到芯片性能的提升，本质上来说，还是因为在芯片的设计环节起到了关键作用，而现在，复旦大学在芯片的底层技术，也就是晶体管技术上实现了突破
在芯片设计上，28纳米工艺只需要4280万美元，7纳米则需要2.486亿美元，3纳米已经需要5.811亿美元，2纳米预计需要7.248亿美元，所以一颗3纳米芯片的设计成本，就是28纳米工艺的近14倍，超40亿人民币
不只光刻机
实际上，就在今年年中的时候，台积电方面就表示，将CEFT晶体管技术作为未来的发展重点，且将CFET作为GAAFET的接班人，GAAFET是3纳米和2纳米工艺的晶体管技术，3纳米之前采用的是FinFET晶体管，英特尔方面也在大力发展CEFT晶体管
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简单来说，复旦大学成功实现了CFET晶体管，该晶体管在当前的应用特点，是可以实现集成度的翻倍，这与提升芯片制造工艺的结果是一样的，因为提升工艺的目的就是为了提升晶体管的集成度
因此我们就可以看到，将芯粒、CFET和先进封装结合起来，就可以实现异质异构芯片，异质异构芯片与采用依赖先进工艺的同质同构的芯片相比，性能上并不占有劣势，但是成本上却占有极大优势
而受到影响最大的，应该就是ASML，因为市场对EUV光刻机的依赖性将会降低，事实上，在芯粒和先进封装技术被应用后，这种对EUV光刻机的依赖性已经出现降低的现象，例如无论是英特尔的欧洲工厂还是台积电的美国工厂，都没有采购新的EUV光刻机，而是通过移机的形式，即采用老工厂的旧设备，台积电甚至还将3纳米工艺的产能缩减了约8成，7纳米工艺的一座新厂也被取消
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