佳能光学半导体光刻机
众所周知，在当前的芯片制造环节中，光刻是其中一个必不可少的重要环节
而光刻就需要用到光刻机，而7nm及以下芯片的光刻时，就需要用到EUV光刻机
同时EUV光刻机成本非常高，一台EUV光刻机售价超过10亿元，最新的0.55数值孔径的EUV光刻机，价格更是超过3亿美元（20亿元）
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这对于一般的晶圆企业而言，是不可承受的成本，所以一直以来，业界都探讨EUV光刻机的替代方案
目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种，分别是1、纳米压印光刻（NIL）；2、直接自组装（DSA）光刻；3、电子束光刻（EBL）
EBL电子束光刻机，大家可能熟悉了，前段时间美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm），不过这种光刻方式速度慢，不可能用于在规模芯片制造
而纳米压印光刻技术，目前被佳能押注，目前佳能已经能够提供NIL光刻机，比如东芝，就一直想用NIL光刻机来生产NAND闪存，同时在NIL光刻专利中，佳能遥遥领先
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EUV光刻机太难太贵
而台积电、三星这两大晶圆巨头，则是NIL、EUV、DSA三大光刻技术，都是做了准备，不过EUV光刻的专利相对多一点，再是NIL,最后是DSA
蔡司作为EUV光刻机的重要供应链，主要还是发务EUV，专利上占到了353件，而NIL也有38件，DSA则为0
当然，目前NIL光刻机还不能与EUV光刻机相比，NIL光刻机远远达不到EUV的精度，但未来能可就说不准了