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光刻机_雕刻机_曝光系统

极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年光刻机的精度和芯片精度

正品,一直以来都用这牌子的刻录机,先锋刻录机稳定性好,读取速度快,读盘的声音小 刻录光盘很少有飞碟,可以刻录多种型号的光盘,刻录的光盘质量很好,能够保存的的时间长,是备份数据的好帮手,物有所值,很好用。

二次买了,上次5个,这次又为单位上买了5个,上次买的评价比较好,读盘能力强,刻盘很稳定,国产品牌中很不错的产品,现在用光驱的时候越来越少,外置光驱价格也降了不少,有时要用的时候又找不到,常备几个以备不时之需。

很显然,这两次迭代,将使得摩尔定律被延长至2032年

中文舆论里,前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机;后者便是所谓“7nm”光刻

半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里,国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器,因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产阶段

第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上,我们可以看到大致上,2005-2019年经历了两个主要代差:1,浸液式DUV光刻(2007-2012年);2,浸液式多重曝光DUV光刻(2012-2019年);3,NA0.33EUV光刻机(2011-2020年)

极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年光刻机的精度和芯片精度

2022-2032年的极紫外EUV光刻机代差在2022年6月底披露的资料中,IMEC公布了更新的未来十年的半导体工艺节点规划,其中明确了两代EUV光刻技术代差:1,2023-2026年,将以NA0.33 EUV光刻机的多重曝光方式量产2纳米和A14(14Å)节点;2,2026-2032年,将以高NA0.55的EUV光刻机量产A10、A7、A5节点

编者按:公众比较熟悉的光刻机代差是基于193纳米光刻光源的干式DUV和浸液式DUV

而浸液式DUV光刻,可以通过多次曝光获得7纳米节点的能力

明确这些技术代差,有助于讨论和思考我国的光刻机发展方式和组织模式

读盘速度:读盘速度非常快,即插即用读盘声音:声音小。临时要用,上午下单京东下午就送到了,非常方便。但凡装机几乎必选先锋光驱,用了很多年了,质量一直都很稳定。话说包装设计得蛮漂亮的

这款自营的先锋刻录机最新升级版本,24倍的刻录速度。先锋的刻录机质量还不错,以前经常使用先锋的刻录机,机器性能稳定耐用,这次帮朋友选刻录机,正好看到京东这款升级版的刻录机,果断下单拿下。京东自营的产品送货速度很快,自营的产品质量还是有保障的,五分好评!

到货后马上拆机更换,读取速度也很快,刻录效果以后再试,一直用这个牌子,效果不错,东西还是不错,好用,就是包装盒是脏的,不舒服

紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年光刻机的精度芯片精度

这款光源对应上图的位置是1994年

当然,我们不能把1994年当作技术差距的时间点

例如不排除同步开发的193nm的ArFDUV光源也已经进入光刻机厂商的测试环节;亦即达到193nm浸没式光刻水平,那么对应上图的位置是2005年左右

即插即用,免包装程序,方便实用。刻录速度很快,1g大约8分钟?(¯﹃¯?)~~外观大气简约瘦小,生产日期今年8月~~

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