芯片光刻机是哪个国家
而超分辨率光刻机在原理上突破分辨力衍射的极限，与ASML的技术路线完全不同，不依赖光源波长及镜头数值孔径的传统路线格局
当然，研制出这款超分辨率光刻机，并不意味着我们已经实现了弯道超车，否则也不至于出现华为无法获得高端芯片的情况
我们国家在4年前，曾经研制出一种特别的光刻机，但是很少有人知道，它的名字叫超分辨率光刻机，这台光刻机可是哟经365nm波长实现22nm工艺制程，通过多重曝光等手段，还可以实现10nm以下的工艺制程
在此基础上，项目组还结合超分辨光刻装备项目开发的高深宽比刻蚀、多重图形等配套工艺，未来能够实现10纳米以下特征尺寸图形的加工
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另一个DUV光刻机，可以制造7nm以上的芯片，其中的DUV是深紫外光的意思，使用193nm波长的光源
所以很明显，我们的超分辨率光刻机的光源波长，要比他们大很多，这是因为技术原理上的差异导致的
超分辨率光刻机的工作原理是这样的，它采用表面等离子体超分辨光刻（surface plasma），也叫表面等离子超衍射光刻，是最近十几年兴起的一种新技术
它的验收成功，也标志着我国研制出的世界首台分辨力最高紫外超分辨光刻装备，具有重大意义
因为，超分辨率光刻机与ASML光刻机采用了完全不同的技术路线
ASML最出名的当属EUV光刻机和DUV光刻机
EUV指的是极紫外光，它可以制造7nm以下的芯片，使用的是13.5nm波长的光源
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已经实际应用
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例如，该光刻机已制备出一系列纳米功能器件，包括大口径薄膜镜、超导纳米线单光子探测器、切伦科夫辐射器件、生化传感芯片、超表面成像器件等，验证了该装备纳米功能器件加工能力，已达到实用化水平
制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学太赫兹科学技术研究中心、四川大学华西医院、中科院微系统所信息功能材料国家重点实验室等多家科研院所和高校的重大研究任务中取得应用
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