近几年来中国极力发展芯片制造产业链，经过近十年来的努力，中国在芯片制造的八大环节都已达到14nm，刻蚀机更已达到5nm，而芯片封测技术已达到3nm，仅有光刻机还停留在28nm以上
光刻机也成为中国芯片制造最后需要打通的环节，而随着更多企业的加入，特别是近期一家重量级企业成功研发了光线折射技术，对于中国的光刻机产业来说无疑是巨大的突破
这样的技术不仅可以用于DUV光刻机，还可以用于EUV光刻机
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光刻机是芯片生产中最昂贵也是技术难度最大的设备，因为其决定了一块芯片的整体框架与功能
其实生产高精度芯片并不难，只是生产速度太慢，而光刻机能快速生产高精度的芯片，所以很重要
光刻机工作原理利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光之后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
关于光刻机最先进的光刻机是几纳米
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曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有泵灯，准分子激光器等
近日有国内企业公布了一项关于光线折射等的EUV光刻机专利，这对于国内光刻机产业一直努力的EUV光刻机技术无疑是重大的突破
目前EUV光刻机仅有ASML一家企业可以生产，而ASML深受美国的影响，在美国的影响下导致ASML无法自由出货EUV光刻机，这也成为中国芯片制造的最大障碍