这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅，与台湾积体电路和MIT研究团队共同完成，已在国际期刊Nature上发表，有助实现半导体1nm以下制程挑战
那么，当前各家在先进制程之争上怎么样了？「三巨头」先进制程之争台积电，与英特尔、三星并称半导体制造业「三巨头」
也就是说，GAA (gate-all-around，简称 GAA) 架构的出现再次拯救了摩尔定律
据称，台积电N2将使用GAAFET（全环绕栅极晶体管）技术，于2025年开始量产
N2在性能、功效上有明显提升，不过晶体管密度在2025年的时代背景中可能显得提升效果不大
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台积电认为这是在「后段布线制程工序」(BEOL) 中克服电阻的最佳解决方案的一种
工序上做出如此改进后，在同等能耗和复杂度下，N2的性能比N3高10%-15%
在相同速度和单位面积晶体管平均数目下，N2的能耗比N3低25%-30%
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当台积电在2nm研发上切入GAAFET（环绕栅极晶体管）技术时，其竞争对手三星则早在2年前其揭露3nm技术工艺时，就宣布从FinFET转向GAA，并「大放厥词」：2030年要超过台积电，取得全球芯片代工龙头地位
作为全新的芯片制作工艺平台，N2制程的核心创新在于两点：纳米片电晶体管（Nanosheet）与背面配电线路（backside power rail）
台积电的「全环绕栅极式纳米片电晶体管」（GAA nanosheet transistors），晶体管的通道在所有四个侧面都被栅极包围，从而减少了电能泄漏
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台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持
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