另据韩媒 Business Korea 报道，三星电子正计划通过在未来三年内打造 2 纳米 GAA(Gate-all-around)工艺来追赶台积电
随着 0.55 NA EUV 光刻机量产提上日程，芯片厂商的“2nm 工艺战”也将彻底打响
为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机？光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一，它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定
更短的波长可以打印出更小的特征；更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线，也能够带来更好的分辨率
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尼康是怎么获得光刻机技术的
未来比 3nm 更先进的工艺，将极度依赖高 NA EUV 光刻机
ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示：在高 NA EUV 方面，我们取得了良好的进展，目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个高 NA 光刻
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”此外，根据台积电早前消息，公司今年资本支出为 400 亿美元至 440 亿美元，多数用于先进制程
此次三星若能争取到更多 EUV 光刻机，则今年至少可获得 18 台，不过三星未详细说明此次获得的“额外”EUV 设备内容
而从工艺技术和制造成本综合因素考量，EUV 光刻机（极紫外光刻）被普遍认为是 7nm 及以下工艺节点的最佳选择
目前，在全球范围内仅有荷兰的 ASML 公司能供应 EUV 光刻机
据介绍，ASML 的 EUV 光刻技术使用 13.5 nm 的波长（几乎是 X 射线范围），在微芯片上形成精细的线条
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