紧接着7nm的到来,英特尔还是无法实现突破,同时美国另一家芯片代工巨头格芯也是在7纳米制程中倒下
2020年,制程开始进入5nm时代,只有三星和台积电可以一拼
当英特尔终于宣布恢复两年的研发周期之时,三星和台积电早已把5nm量产提上了日程
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作为制造芯片最先进的设备,光刻机的先进程度等直接决定了芯片的制程工艺
目前来看,荷兰的ASML几乎垄断了世界上的高端光刻机,且产量非常少,价格贵
自2017年ASML第一台量产的EUV光刻机正式推出以来,三星的7nm/5nm工艺,台积电的第二代7nm工艺和5nm工艺的量产都是依赖于0.55数值孔径的EUV光刻机来进行生产
在2021年年底,台积电正式提出2nm以及后续1nm的工厂扩建计划
预计总投资金额将高达8000亿至1万亿新台币(约1840-2300亿元),占地近100万平方米
另外,台积电1nm研发也取得了一些进展
在2021年,台大与台积电、美国麻省理工学院合作研究发现二维材料结合「半金属铋(Bi)」能达极低电阻,接近量子极限
台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持
选择中国有没有能造光刻机的企业
在微观结构上,N2采用纳米片电晶体(Nanosheet),取代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界普遍认为,纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET
根据这些数据,权威硬件新闻网站Tom's Hardware的报道者表示,总体来看,N2的全世代制程较之前有明显的性能和耗电改观
以前台式机用的就是这个品牌的光驱,老品牌值得信赖。读写速度还不错,比较薄,也不占地方,刻录的功能还没试,应该不会差到哪里去。很满意。
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要知道,半导体行业进步的背后有着一条金科玉律,那就是「摩尔定律」
摩尔定律表明:每隔 18~24 个月,封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍,芯片的性能也会随之翻一番
当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候,对新的晶体管技术提出了需求
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