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中国研制的光刻机
并且Zyvex还接受电子束光刻机订单，称只需要6个月就可以交货，很明显，这种技术也能够替代EUV光刻机，唯一的用这种方式，速度非常慢，但后期还有改进空间
第三大方案则是自组装（DSA）光刻，所以谓的自组装光刻，就是用一些化学物质，诱导光刻材料在硅片上自发组成我们需要的结构，中间不需要光刻机参与
三种EUV光刻机替代方案
不过可惜的是，当前我们似乎在这三种方案上都不太突出，当然也有可能是保持低调，不愿意秀出实力来，但不得不说，研究EUV光刻机，或者研究能替代EUV光刻机的技术，对于中国芯而言，是势在必行，再难也要上的，否则中国芯就会一直被卡脖子，你觉得呢？
这家的先锋(Pioneer) 16X内置蓝光刻录机 支持BDXL刻录/ BDR-S12XLB的真是太好用了，用了第一次就还想再用一次。先锋(Pioneer) 16X内置蓝光刻录机 支持BDXL刻录/ BDR-S12XLB包装不错，很严密，产品样数和下单一样，送的东西也很满意。五星好评！非常好，非常好好用，舒服，评个五星，发货快一天就到了。
而EUV光刻机，则用于7nm及以下的芯片制造，且只有ASML一家企业能够生产
考虑到ASML是集全球之力造EUV光刻机，且与上下游形成了利益同盟，所以其它厂商想在EUV光刻机上超过ASML，基本上不可能的
这种方式比传统光刻分辨率更高，加工速度也不受影响，但它对材料控制的要求特别高，目前还没有成熟的解决方案，还处在实验室阶段
而对这一技术研究较深的是比利时微电子中心、麻省理工学院，他们都建立了自组装产线，进行相关研究，三星在DSA上申请的专利最多，也非常重视这一 技术
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第二大方案是电子束光刻机(EBL)，用高能电子束来替代极紫外线，电子对应的波长只有0.04纳米，加工精度就比EUV又高了不少
目前在这一块比较突出的是美国，前不久前段时间美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm）