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光刻机_雕刻机_曝光系统

集成电路装备光刻机,中国光刻机困局之2022(二):六镜头极紫外光学系统的起源

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王丽萍教授2007年论文设计的2镜头MET曝光光学系统在这篇论文结尾,王丽萍写道:“根据我国阶段的技术基础研究目标,两镜微缩投影系统的研究仍为重点”

两镜头MET曝光工具的性能两镜头MET曝光工具与量产型EUV光刻机具有本质的不同,它不具有生产能力

2017年长春光机所的2镜头MET曝光工具验收,获得32纳米线宽曝光图形年后,2017年02专项验收时,我们可以看到,其验收的两镜头MET曝光工具,获得32纳米线宽曝光图形,与2007年王丽萍教授的论文设计几乎是一致的

在过去三年的六镜头EUV光刻光学系统项目的研究里,王丽萍教授和她的团队已经进展到哪一个阶段了呢?在面对西方技术封锁下,我们能够获得项目推进所必须的软硬件条件吗?下次见!两镜头极紫外曝光工具MET-5参考资料2017年中科院02专项验收通讯稿:https://www.cas.cn/cm/201707/t20170710_4607967.shtml2017年长春光机所02专项验收通讯稿:http://www.ciomp.cas.cn/xwdt/mtcg/201707/t20170711_4830235.html2005年加州劳伦斯伯克利实验室MET工具论文:https://digital.library.unt.edu/ark:/67531/metadc885229/m2/1/high_res_d/901242.pdf纽约州立大学工学院ADT工具主页:https://www.sunypoly.edu/research/wafer-fabrication/wafer-processing-rd/lithography-patterning-tools/asml-300mm-adt-euv.html

因此,从工业化角度而言,我国开发EUV,即便是可以省略了四镜头的ETS工程验证机的环节,六镜头的ADT演示工具应该是目前合适的攻关环节

王丽萍教授的两镜头EUV投影系统设计王丽萍教授的履历表写道:2004年毕业于长春理工大学后,于2004-2009年在中国科学院长春光学精密机械物理研究所攻读博士

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中国光刻机困局之2022(二):六镜头极紫外光学系统的起源

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集成电路装备光刻机,中国光刻机困局之2022(二):六镜头极紫外光学系统的起源

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集成电路装备光刻机

当然,由于这两个项目是2018年1月便启动的项目,先于美国的光刻机制裁,因此其立项根据、任务指标等可能与当前的光刻机困局的境况并不匹配

我相信它们依然是基于长期的攻关目标而设定的

由于该项目是2021年9月结束,我还没有查阅到相关的结题资料,所以我们可以从六镜极紫外光刻投影物镜所必需的软硬件条件开始,以及近期公开发表的论文资料,去分析其所能达到的水平

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