光刻机的技术难度
极紫外EUV光刻机代差详解:2010-2032年
中国准分子激光DUV光刻光源测试原始记录关于国产DUV光刻光源的考证原文：解读中国28nm光刻机（一）:深紫外DUV光刻机光源的曙光结语在上述关于光刻机代差分析里，我们剥离出未来十年的2代代差和过去十年的3代代差，而这正对应于我国的光刻机研发工作的针对目标：1，在过去十年的既有技术上的突破，显而易见，自2019年开始国际形势突变之后，我们不再具有轻易获得西方的成熟技术、并依托其上进行迭代式发展的模式
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第一台高NA光刻机EXE:5000将在IMEC和ASML的联合实验室安装1990-2020年的光刻机代差从1990-2030年的半导体发展路径图上，我们可以看到大致上，2005-2019年经历了两个主要代差：1，浸液式DUV光刻（2007-2012年）；2，浸液式多重曝光DUV光刻（2012-2019年）；3，NA0.33EUV光刻机（2011-2020年）
很显然，这两次迭代，将使得摩尔定律被延长至2032年
在中文舆论里，前者便是铺天盖地的所谓“28nm”光刻机；后者便是所谓“7nm”光刻机
半导体产业40年的发展路径经严格考证的国产光刻机光源进度而在我2021年10月份的考证里，国产DUV光源的测试计划是248nm的KrF DUV激光器，因此实际上这一款激光器并没有进入批量生产的阶段
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比利时IMEC实验室公布2纳米以下制程量产时间节点首台高NA光刻机将入驻IMEC-ASML联合实验室IMEC和ASML的联合实验室将在2023年安装第一台高NA EUV光刻机系统；这是近十年光刻机发展历史上的一个里程碑的进展
小孩子幼儿园有很多光盘发下来，笔记本又没配备光驱。网上一搜，外置光驱就选中了这款。从价格上看并不便宜。主要谁买大牌，图省心，毕竟还是需要用长时间的。完美解决问题，连上笔记本就能用。希望能一直用下去。
同样，根据2021年3月的公开记录而言，可以很容易判断目前可能还不具备规模量产的能力
因此需要重新调整重大专项的目标和组织模式，以产业发展的基础技术储备作为重点攻关，而不是致力于我前文所述的“复制型制造开发”模式
2，在未来十年的新技术上，目前全球仅ASML具有条件进行未来十年的2nm至5A的相关研究；这是建立在其过去十年的EUV光刻机垄断式发展基础上建立的垄断式发展优势
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