如今的深度学习在大规模模型的爆发下，所需算力每几个月就会翻一番，但现在能效比已经成了优先级更高的指标，要想同时满足性能和算力的话，主要方法有四种：一是换一种系统级计算架构，比如DSA架构；二是充分利用3D设计，也就是我们常说的3D封装和堆叠技术；三是从晶体管架构上创新，譬如纳米管、纳米片、CFET和原子沟道等；第四个则是目前看来最快捷的一条路线，通过光刻技术的发展直接提升密度
外包装没有温謦提示封条。读盘还快，刻录dvd光盘5分多就刻好了。包装完整，安装方便，装好以后读盘速度很快，很不错的一个光驱，值得购买
读盘速度：快， 外形外观：漂亮 读盘声音：很轻 稳定性能：目前使用稳定性好 产品包装：包装精致
euv光刻机与非euv光刻机
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归根结底还是我们的晶体管密度需求仍在不断攀升，但我们需要明白这个需求并不是线性增长的
新世纪的20年代，很可能成为深度技术发展的黄金十年，比如边缘AI芯片、基于CMOS的NIR/SWIR成像器、光电集成的片上激光雷达等等
所谓high-NA即高数值孔径，从当前的0.33提升到0.55，从而允许更紧密的电路图案（2nm及以下）和更高的生产效率
据报道，高NA EUV光刻机系统的单台造价将在3亿到3.5亿欧元之间，约合人民币21.95到25.61亿元
2nm、1nm全靠它!High-NA EUV光刻机2025年末将正式商用
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你可以说推动工艺发展最大的功臣是智能手机芯片，但其他应用对高密度的需求同样不可小觑，因为这对它们来说也就意味着更高的存储容量和带宽、更高的算力
Intel、台积电已下单荷兰半导体设备厂商ASML（阿斯麦）正在全力研制划时代的新光刻机high-NA EUV设备
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特别是用于生产制造2nm、1.8nm等制程的High-NA EUV光刻机初期版本将于明年年末引进，预计2025年末将正式商用
ASML明年交付首台High-NA EUV光刻机ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前公司正有序推行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术