还有一些材料，也需要达到7nm，比如光刻胶，7nm及以下芯片制造需要的是EUV光刻胶，但我们自给率为0
后道工序，这里主要涉及到的是封测，相对要求会低一些，但也是有工艺精度要求的
目前仅是EUV光刻机卡得最为明显，卡得最为关键，最为大家所知而已，并不意味着其它设备或材料不卡了，一旦EUV光刻机我们有了，美国在其它设备或材料上就会卡住我们的
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国产物境光刻机
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我们也无法顺利制造7nm芯片
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综合起来看，要想芯片制造水平达到7nm，需要EDA支持7nm，半导体材料也是支持7nm，半导体设备也支持7nm……而EUV光刻机只是其中的一种设备，就算我们突破了，美国或其它国家一样能够在其它设备、材料上卡住我们，因为目前国产的半导体材料、半导体设备，很多在28nm甚至更成熟的工艺，达到7nm的少之又少
而前道工序更是重点，有至少8个工序，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试
而这里也要用到各种设备，众多的材料，光刻机只是其中的一种设备，这些设备大多和光刻机一样，是有精度要求的，分别要求达到7nm
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芯片制造是一个非常复杂的流程，涉及到几十种设备，上百道工序，主要可以分为单晶硅片制造、前道工序、后道工序这三部分
单晶硅片涉及到各种半导体材料，目前国内整体半导体材料的自给率不足20%，特别是14nm以下的半导体材料自给率就更低，高度依赖国外进口
目前网络有一种声音，那就是我们必须自研出EUV光刻机，只要自研出EUV光刻机，ASML和美国就卡不住我们的脖子了，芯片就再也不用愁了