前道光刻机对光刻机的精度要求非常高,所以会有按精度分的DUV、EUV等光刻机
而前道光刻机方面,自然ASML是老大,毕竟EUV光刻机,只有ASML能够生产,而国内自研的前道光刻机,分辨率显示还是90nm的
那么有没有可能继续进行第4次曝光,然后就实现了11nm,再进行第5次曝光,然后实现10nm以下呢?理论上可以,但实际不行
读盘速度:读盘速度很快,并且很稳定。 读盘声音:声音有一些读盘机械转动的声音不是很大。 稳定性能:性能稳定可靠。大品牌的东西一直在用。 轻薄程度:台式机装机内置光驱的性价比最高的大品牌经典产品。是标准内置光驱的大小。 外形外观:金属外观,结构结实。 产品包装:产品包装牢固可靠完好。内置减震泡沫,防止磕碰。新款产品外包装印刷图案区别于老款。
据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm
当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行
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能生产几纳米的芯片?答案或是22nm
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那么问题就来了, 国产90nm的前道光刻机,究竟能够生产几纳米的芯片,是不是就只能是90nm了?事实上并不是的,在一些晶圆厂的实际测试中,在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平
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在芯片制造的过程中,其它是需要两种光刻机的,一种是前道光刻机,就是将光掩膜板上的电路图,记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机,因为这是前道工序,所以称之为前道光刻机
还有一种是后道光刻机,用于芯片后期的封装,在芯片制造过程中,属于后道工序,所以叫后道光刻机
浙江芯动科技光刻机
在测试中,进行到第三次曝光时,晶圆的良率已经降低到了一个相当低的值,甚至有时候会低于20%了
如果进行第四次曝光,估计良率会低到离谱,至于第五次、第六次,根本不用想了,良率会接近于0%
目前像ASML的DUV光刻机,一般最多也只进行两次曝光,很少进行多次曝光,因为会大幅度的降低良率,造成成本上升,这是得不偿失的
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