随着光刻机变得更加负责，光刻机的耗电量也在激增，业界人士指出High-NA EUV光刻机的总功耗将达到200万瓦的水平，每天耗电量将达到4.8万度电；如今台积电仅是推进至5nm工艺，它消耗的电力已占中国台湾省的8%，业界预期推进至3nm之后它消耗的电力将占中国台湾的12%
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如此情况下，这些芯片制造企业已不可能继续大规模采购EUV光刻机，对于更先进的High-NA EUV光刻机的采购也可能因此延期，毕竟市场需求不强的情况下，更先进的光刻机投资额巨大，会导致芯片制造企业承担巨大的风险
当前有能力采用价格昂贵的EUV光刻机的客户其实只有Intel、台积电和三星，它们目前推进的最先进工艺为3nm，然而台积电的3nm被指在性能参数方面远未达到预期，这已导致苹果放弃了3nm，迫使台积电进一步改良3nm工艺至N3E
当前的EUV光刻机技术是通过将镜头放在液体里，通过液体和镜头等的多重折射最终打印出更小的结构，从而制造更先进的工艺，然而这种方式随着向更先进的工艺推进，这种方式导致光刻机日益笨重，光刻机自身的成本也因此激增，第一代EUV光刻机的价格达到1.2亿美元，预计High-NA EUV光刻机售价将达到4亿美元
三星的3nm工艺表现较好，但是三星的3nm工艺在良率方面却比台积电更低，导致成本奇高，失去经济价值
同时全球芯片行业已步入下行阶段，芯片企业为了节省成本均不愿采用先进工艺，高通就已确定将从只拥有14nm及成熟工艺的格芯采购76亿美元的芯片，这都导致台积电等芯片制造企业失去了研发先进工艺的动力
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光刻机事业已到尽头
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