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ASML公司的极紫外光光刻机价值2亿欧元光刻技术起源于印刷技术中的照相制版术，所以光刻机就像是一个性能夸张的单反相机，将层次光掩膜版上的图形进行缩小，缩小的比例高达百万倍，然后再将其进行制造

它能够将光掩版上设计好的集成电路图形，通过光线的曝光印到光感材料上

光刻机为什么精准

根据此前美国彭博社的专题报道来看，美国呼吁荷兰的光刻机生产公司阿斯麦，限制对中国出口光刻机这类芯片设备，而荷兰外贸和发展合作大臣却给出了反对的法案，表示他们将会以“捍卫本国经济利益”为主

在我国大力推进芯片国产化的背景下，中企能如愿收到ASML的DUV光刻机，无疑来得很及时！ASML硬刚老美有什么目的？小编认为，ASML之所以义无反顾的对中企供货，其实ASML的日子并不好过，简直是腹背受敌！首先，全球半导体下行，不少晶圆厂因订单不足开始削减成本，对光刻机的需求也逐步放缓，而我国芯片自给率又要在2025年提升到70%，根据ASML公布的财报显示，大陆市场已经成为ASML的第三大重要市场，试问又有谁愿意放弃自己的“金主”呢

ASML硬刚老美有什么目的?

光刻机是干什么用的?为什么很难制造?世界上几个国家能造出来?光刻机数字处理芯片

大家都能看出来，这两家是以前制造照相机、录像机的世界知名企业

但技术落后于荷兰公司

光刻机无论哪国生产，主要技术都是美国掌握；他们根本不向中国出口先进的光刻机，这么多年我们使用芯片都是进口，前段时间芯片断供，我们还紧张了一阵子

一直用先锋刻录机，09年卖的刻录机现在读片困难了，只能换新了。新机很好，价格便宜，满意，性能很好，不但能够读光盘还能刻录光盘，非常的实用，孩子学校发的光盘可以使用了

随着整个市场的不断变化，而ASML也被狠狠的上了一课！在国内市场上，华为已经发布了芯片堆叠技术解决方案，可以利用空间换性能，并造出拥有一定市场竞争力的产品来；而苹果也已经发布了堆叠技术的芯片，而且还获得了市场的一致认可，这也说明这一技术方案是可行的；另外华为还公布了超导量子芯片的专利，这是下一代的芯片核心技术，只要我们取得了突破，那么也就不用被EUV光刻机给卡脖子了！除了国内以外，老美也一直在加快去EUV化，除了限制ASML公司先进的EUV和DUV光刻机的出货以外；包括高通、英特尔、美光等众多的美企巨头企业都在想办法绕开EUV光刻机的限制；就连ASML的第一大客户台积电也联合组建了“3D Fabric”联盟，其目的也是想要通过多重曝光等技术层面的优势来绕开EUV光刻机的限制，从而生产出先进的芯片来；对此美媒也纷纷表示：ASML公司的EUV光刻机的高光时刻已经过去了！综合来看，现在整个半导体市场都在想方设法的想要绕开EUV光刻机的限制，因为大家谁也不想被ASML公司的EUV光刻机给卡脖子发展，就连老美也一样；而ASML面对市场的不断变化，也直接不装了，并表示要加大产能，预计在2025年以前，将EUV光刻机的产能提升到90台，而DUV光刻机的产能提升至600台，很显然ASML这也是想要抓紧时间抢夺更多的市场份额！不过话又说回来，在意识到了EUV光刻机的重要性以后，大家都并不会在一味的依赖ASML的EUV光刻机，加大自主研发的力度，并绕开EUV光刻机的限制也成为了大家的一致认知，而ASML依靠EUV光刻机躺赚的日子也将一去不复返了，不知道对此你是怎么看的呢？

据称，目前国内正在研发28nm精度的光刻机，那么经过2次曝光后，能够达到14nm，然后可以尝试性的进行第三次曝光，然后有可能迈入7nm

当然，以上只是猜测，因为精度越高的光刻机，多次曝光的难度也就越高了，一切还得看真机的实测才行

国产90nm的光刻机

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半导体设备主要由七大设备零部件构成：光刻设备、刻蚀设备、清洗设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、机械抛光设备及封装、测试设备

点单位光盘。以前就用的先锋的。品质非常好，用了好多年了，所以这厮继续购买。商品应该不错。待会儿去试用，用好了再来评价。希望这个产品也好，哪，有一些优惠活动。这样。可以在购买很多。另外价格教师再降点就好。

显然，这很有可能是ASML将DUV光刻机的价格提升了

这从某种程度上来说，确实是一种变数，毕竟原本我们订购是市场价，现如今这个本身就缺光刻机的情况下，能给其更多订单量的时候，反而还出现了提价情况

如此来看，果然ASML没有那么好心的出货中国市场

光刻机要一直被“卡脖子”?华为:我偏不...收购5台日本先锋微光刻机

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据称，目前国内正在研发28nm精度的光刻机，那么经过2次曝光后，能够达到14nm，然后可以尝试性的进行第三次曝光，然后有可能迈入7nm

当然，以上只是猜测，因为精度越高的光刻机，多次曝光的难度也就越高了，一切还得看真机的实测才行

在芯片制造的过程中，其它是需要两种光刻机的，一种是前道光刻机，就是将光掩膜板上的电路图，记录到涂了光刻胶的晶圆上的光刻机，因为这是前道工序，所以称之为前道光刻机

也就是说如果要制造1.8nm以下的芯片，可能EUV光刻机就无法胜任了，要推出全新一代技术，至于是什么技术，目前业界还没有定论

目前美国有公司推出了EBL电子束光刻机，可以生产0.768nm的芯片，但无法大规模量产

而俄罗斯在研究X射线光刻机，没有光掩模板，直接光刻，据称可以用于1nm芯片，但没有样品出来

之后理论上数值孔径还能够再提升，比如达到0.7等，但已经没太多必要了，非常不值得，因为成本太高了，难度太大，估计0.55NA就是顶点了

而0.55NA数值孔径的EUV光刻机，其处理极限可能也就是2nm、1.8nm左右，而INTEL也计划用它在2025年左右，量产2nm、1.8nm的芯片