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年耗电1000万度

EUV有多耗电？由于EUV光源的能源转换效率只有 0.02% 左右，所以输出功率只有250W的EUV光刻机，实际需要0.125万千瓦的电力，耗电量是DUV光刻机的10倍以上

这样下来，一台EUV一年耗电量可达到1000万千瓦时

所以目前台湾省内很多媒体，对台积电也不太满，觉得岛内对台积电扶植过度了，毕竟台湾省幅员狭小、能源有限，而台积电高耗电、高耗水量，对居民用电、电水造成了紧张

同时目前台湾省本身资源紧张，电力供应紧张，新增的电量，很多往台积电倾斜了，还未必能够满足台积电未来产能扩张的需求，让大家对未来担忧

如上图所示，这是机构统计的2021年前道光刻机出货量情况，大家可以看到高档的EUV光刻机，ASML完全垄断，低档尼康、佳能有一定的份额

而中国大量需要光刻机，特别是EUV光刻机，这就造成了市场与需求的不匹配，但ASML也没办法啊

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佳能近日表示，接下来会研发新一代的NIL光刻机，新一代的NIL光刻机，有可能应用于28nm甚至14nm及以下的工艺

有句话说，芯片是微观制造工艺的极限

那么将这个极限制造出来的光刻机，有多难非常明显了，而每一纳米的突破，都是极其难得，阿斯麦尔温彼得甚至还表示，中国不太可能独立造出顶尖光刻机

要说最难的就是这3个点了

1、光源我们知道，目前ASML最尖端的就是EUV光刻机了，而其使用的就是极紫外线，能够将光刻技术扩展到32nm以下

曾有美国教授指出，如果建造原子弹难度是1，那么中国造光刻机的难度是10，因此有不少人发出疑问，原子弹和光刻机到底哪个更难造？甚至有人说，为什么我们把原子弹都造出来了，为何还造不出光刻机呢？这要说，这两者根本不具备可比性，以目前的技术来说，我们建造原子弹，自然已经不具备难度了，可是能否认原子弹是尖端技术吗？就在几十年前，更是世界最尖端技术的存在，我们建造出第一枚原子弹不难吗？科学家们，用算盘、手摇计算机、第一代电子管计算机算出核弹，能不难吗？难，只是以目前的技术来说，再看过去，难度好似降低了

物流很快，买完第二天就到了，现在已经刻了快50张光盘，无一失败，就是不知道能用多久，希望能多用几年

闻泰科技在2021年收购了来自荷兰的安世半导体，开始发展晶圆代工业务

别看安世半导体被中国大陆企业收购了，但是这个公司也从事芯片行业很多年了，有着比较成熟的产业链和技术底蕴

鼎泰匠芯在2021年7月份设立了一个新项目，总投入120亿元，打造国内第一座12英寸车规级功率半导体自动化晶圆制造中心

物流挺快的，已经收到货了，开箱后使用了几天才来评价，质量不错，读碟快速度，高铁片里赠送的蓝光播放器和网盘备份刻录软件都非常超级，之后用一张可重复使用，刻录光盘刻录一部超清电影，播放出来，何蓝光碟差不了多少，反复刷两次光盘都一样没变化，打开之后第一感觉就是非常喜欢外观时尚大方，价钱也实惠，性价比高，装上之后车试一下，读碟很好，刻录光盘也很好，很流畅，非常愉快的一次购物，京东真的很不错，下次还会推荐朋友们过来购买

自打U盘流行，硬盘容量大了之后，光驱就离我们越来越远了，刻录机也不例外，现在基本很少用到。因为喜爱无损音乐，而CD正是最好的载体，所以空着多年的光驱位又要启用了，当日下单次日即收到，趁孩子睡午觉立即刻了两张盘，刻录能支持最大速度，但我用的是最低速度来，一张CD刻好也只需十来分钟，刻好立即回放读碟，效果棒棒的，这光驱不管读还是读都叫我满意！

“刘翔”要卖ASML光刻机!一台至少5000万 仅剩两台

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国产芯片国产光刻机开始突破作为芯片制造产业中最重要的一环，光刻机的作用自然非常重要

伴随着芯片产业链上的其他设备如蚀刻机等已经突破至5nm，国产芯片产业也愈发完善，而光刻机也成为最后一个需要攻克的技术难关

光刻机技术取得突破其实国内对于光刻机同样十分重视，早在2006年就开始实施《极大规模集成电路制造技术及成套工艺》项目，其中光刻机在16个重大专项任务中排名第二，因此也被称为“02专项”

光驱很漂亮，启动的声音很小，弹出非常平稳。希望能够用的时间久一些。读盘速度：很快读盘声音：声音小，几乎听不到产品包装：精美

因为实践表示，3次曝光会导致良率大幅度下降，4、5次良率可能会低到没法想象，晶圆厂们的成本高到没法承受，不如买一台更高级光刻机，成本还低一些

所以，目前国内在努力的研发28nm的光刻机，这样经过两次曝光后，可以搞定14nm，至于7nm工艺，那最好还是期待EUV光刻机，用28nm的来曝光三次，良率没法看

如上图所示，这是4大厂商的光刻机精度

其中用于7nm及以下芯片制造的EUV光刻机，只有ASML能够生产

而尼康能搞定高端的7-28nm的AiF+浸润式光刻机，但佳能、上海微电子却还停留在90nm，只能生产低端的光刻机

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而要生产2nm的芯片，数值孔径要变为0.55NA，也就是解析度（精度）为8nm，这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案，同时单次构图间距低于30nm

这种新的EUV光刻机叫做型号，就叫做EXE:5200，目前ASML已经有了规划，预计在2024年底，或者2025年交付

不过据称，NXE:3600D型号的EUV光刻机，支持的工艺可能仅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度还要提升，需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行

在当前全球化背景下，对别国搞技术封锁、技术脱钩，这只会让其他国家更加警醒，在技术上一味依靠美国行不通，也会促使各国加快实现科技自主自立自强

受此消息影响，ASML的美国存托凭证（ADR）跌幅高达8.3%，为2020年3月以来最大盘中跌幅

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