众所周知,目前最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机,能够制造3nm的芯片
且在ASML的规划中,到2024年或2025年会交付全新一代的High-NA极紫外光刻机
这种EUV光刻机,数值孔径变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,可以制造2nm,以及1.8nm的芯片
至于1.8nm以下,用什么光刻机?反正ASML现在还没规划,因为1.8nm后,技术又会怎么样变化,谁也不清楚
但近日,美国一家公司Zyvex,利用一种完全不同于EUV光刻机的技术,制造出了768皮米,也就是0.7nm的芯片