而在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平
那么能不能四次曝光,五次曝光,将精度提升上去?事实上,在实际使用中,2次曝光就已经很厉害了,像ASML等的光刻机 ,大多也只是进行2次曝光
因为实践表示,3次曝光会导致良率大幅度下降,4、5次良率可能会低到没法想象,晶圆厂们的成本高到没法承受,不如买一台更高级光刻机,成本还低一些
所以,目前国内在努力的研发28nm的光刻机,这样经过两次曝光后,可以搞定14nm,至于7nm工艺,那最好还是期待EUV光刻机,用28nm的来曝光三次,良率没法看