目前的硅基芯片性能提升主要依赖芯片制造工艺的提升,然而业界都清楚硅基芯片的极限是1nm,而目前最先进的芯片制造工艺是3nm却已面临巨大困难,三星的3nm工艺技术更先进但是良率太低,台积电的3nm工艺基于成熟的FinFET技术却导致性能提升有限而成本过高被苹果舍弃
面对芯片技术的新进展,中国其实在量子芯片技术方面也并不落后,中国庞大的技术人员有助于中国在量子芯片技术方面加快赶超美国芯片的进展,这两年中国已取得了不少量子芯片技术专利
今年7月中科大的郭光灿教授团队就宣布首次在拓扑保护光子晶体芯片中实现量子干涉,奠定了中国量子芯片的基础,此外还有诸多芯片企业在量子芯片技术方面持续投入,深圳科技企业就宣布了多项量子技术专利