”为了提升ASML的交付能力,近日,ASML也宣布了其扩产计划,即在2025-2026年,将EUV光刻系统和DUV光刻系统的产能分别提升到90个和600个;2027-2028年将High-NA系统的产能提高到20个
相比目前的0.33数值孔径的EUV光刻机,High-NA EUV光刻机将数值孔径提升到0.55,可以进一步提升分辨率(根据瑞利公式,NA越大,分辨率越高),从0.33 NA EUV的13nm分辨率提升到0.55 NA EUV的低至8nm分辨率(通过多重曝光可支持2nm及以下制程工艺芯片的制造)