众所周知,目前最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机,能够制造3nm的芯片
且在ASML的规划中,到2024年或2025年会交付全新一代的High-NA极紫外光刻机
这种EUV光刻机,数值孔径变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,可以制造2nm,以及1.8nm的芯片
比EUV光刻机更先进:美企研发全新光刻机
而0.7nm,差不多相当于2个硅原子的宽度,也是理论上硅基芯片的最高精度,所以很多人认为,当芯片精度达到了1.8nm以后,可能EUV光刻机也不行了,要使用Zyvex公司研发出的这种光刻技术了