国产90nm的光刻机
徐州光刻机项目
据称,目前国内正在研发28nm精度的光刻机,那么经过2次曝光后,能够达到14nm,然后可以尝试性的进行第三次曝光,然后有可能迈入7nm
当然,以上只是猜测,因为精度越高的光刻机,多次曝光的难度也就越高了,一切还得看真机的实测才行
那么问题就来了, 国产90nm的前道光刻机,究竟能够生产几纳米的芯片,是不是就只能是90nm了?事实上并不是的,在一些晶圆厂的实际测试中,在精度方面,90nm肯定没问题的,同时经过两次曝光,可以得到45nm的芯片,三次曝光最高可以达到22nm左右的水平