2012年,中国科学院光电技术研究所承担了超分辨光刻装备的研制任务,经过近7年艰苦攻关,在无国外成熟经验可借鉴的情况下,突破了高均匀性照明、超分辨光刻镜头、纳米级分辨力检焦及间隙测量和超精密、多自由度工件台及控制等关键技术,其采用365纳米波长光源,单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米
中芯国际光刻机烧毁
因为以现有的技术能力,这款光刻机只能做周期的线条和点阵,还是无法制作复杂的IC需要的图形的
同时,它还有一个显著的缺点,就是聚焦的面积非常小,属于接触式光刻,易产生缺陷,并且因为是直写式光刻,所以生产效率很低