中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm,国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术,如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片,对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降
这一切无不显示出全球芯片行业都在绕开成本昂贵的EUV光刻机,降成本已成为芯片行业的共识,可以说以独有的先进EUV光刻机称霸全球芯片制造行业的ASML已到了落幕的时候,尤其是ASML一直顺从的美国绕开EUV光刻机更是给它重击,ASML的艰难日子或许正在到来
中国芯片制造企业以现有的DUV光刻机将芯片制造工艺推进至7nm,国内的芯片封装企业通富微电等又研发了5nm芯粒封装技术,如此国产芯片可望提供接近5nm工艺性能的芯片,对ASML的EUV光刻机需求迫切性下降
这一切无不显示出全球芯片行业都在绕开成本昂贵的EUV光刻机,降成本已成为芯片行业的共识,可以说以独有的先进EUV光刻机称霸全球芯片制造行业的ASML已到了落幕的时候,尤其是ASML一直顺从的美国绕开EUV光刻机更是给它重击,ASML的艰难日子或许正在到来
尽管后来尼康和佳能碰得头破血流,终于攻破了157纳米干式光刻技术,但是当他们反应过来的时候,干式光刻机已经没有任何市场优势
所以从2005年之后,他们的市场份额不断被ASML吞食,目前尼康和佳能在高端光刻机市场上完全已经不是ASML的对手
面对这种局面,想要解决光刻机技术难题就只能靠我国自己了,不过过去十几年我国在光刻机研发上也投入了很多,但是取得的效果并不是很明显
目前我国国产光刻机最先进的是由上海微电子设计出来的28纳米光刻机,而且目前还没有正式量产,这跟ASML的EUV光刻机差距是非常大的,跟他们即将量产的新一代EUV光刻机差距更大
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为了完成光刻机的研发需要多个部门和机构协同合作,国内多个顶级研究院以及大学都参与到了光刻机的研发之中
国产光刻机除了上述已知的企业和研究所之外,还有更多的科研机构在默默地进行着光刻机技术的研发和突破,也正是在齐心协力之下,第一台可用于28nm芯片制造的国产光刻机也有望于近期亮相
一小时处理220片12寸的晶圆,其产能有多大?如果是苹果A16这样的芯片,一块晶圆可以切割600块左右,理论上一台这样的光刻机,一年可以就光刻10亿颗以上……至于价格方面,ASML表示,其0.55NA的下一代EUV光刻机单价将达到3亿多美元(约合20亿元人民币)
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而要生产2nm的芯片,数值孔径要变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案,同时单次构图间距低于30nm
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中国也拥有了高性能的第三代大推力涡扇发动机
按照这些人,凡是中国搞出来的都不算高科技的理论,那大推力涡扇,从此也就被开除出高科技行列了
但中国航空发动机的发展并没有就此止步,反而继续夯实基础,全面开花
11月初,北京航空材料研究院实施的航空发动机关键构件抗疲劳寿命试验突破5万小时,标志着我国高端装备制造技术取得全新突破
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如今佳能也开工建设新的光刻机工厂,无疑显示出日本的光刻机企业认识到了中国这个庞大的市场带来的巨大机会,事实上这两年中国就大举从日本采购二手光刻机,推动日本的二手光刻机价格暴涨两倍多,让日本企业赚取了丰厚的利润
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二是找到能够一批上、下游都能够替代的厂商,这就更加困难了,所以其它的光刻机企业,在EUV这个赛道上,是不太可能与ASML竞争的,除非换赛道,以另外一种技术试
目前佳能是押宝纳米压印光刻(NIL)技术,而美国有企业在在搞电子束光刻机(EBL),还有企业在研究直接自组装(DSA)光刻,X-射线光刻等,都是绕开EUV技术
DUV光刻机又有两大路线,其中一种就是ASML为代表的浸润式光刻机,以水为介质,采用193nm波长的光线,在水中折射后,变成132nm,而这种设备一次曝光可以生产45-28nm的芯片,价格比EUV便宜一半
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