为什么要冲刺高 NA EUV 光刻机?光刻系统所能达到的分辨率是光刻收缩的主要驱动因素之一,它主要由所用光的波长和光学系统的数值孔径决定
更短的波长可以打印出更小的特征;更大的数值孔径可以更紧密地聚焦光线,也能够带来更好的分辨率
而从工艺技术和制造成本综合因素考量,EUV 光刻机(极紫外光刻)被普遍认为是 7nm 及以下工艺节点的最佳选择
目前,在全球范围内仅有荷兰的 ASML 公司能供应 EUV 光刻机
据介绍,ASML 的 EUV 光刻技术使用 13.5 nm 的波长(几乎是 X 射线范围),在微芯片上形成精细的线条