不过据称，NXE:3600D型号的EUV光刻机，支持的工艺可能仅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度还要提升，需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行
而光刻精度怎么提升，就是数值孔径的提升了， 前几代光刻机，比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的，解析度（精度）为13nm，单次构图间距为32nm到30nm
荷兰会不会用光刻机换口罩
一小时处理220片12寸的晶圆，其产能有多大？如果是苹果A16这样的芯片，一块晶圆可以切割600块左右，理论上一台这样的光刻机，一年可以就光刻10亿颗以上……至于价格方面，ASML表示，其0.55NA的下一代EUV光刻机单价将达到3亿多美元（约合20亿元人民币）