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步进光刻机光刻工艺参数的优化
不过据称,NXE:3600D型号的EUV光刻机,支持的工艺可能仅到3nm,如果要制造2nm的芯片,光刻精度还要提升,需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行
而光刻精度怎么提升,就是数值孔径的提升了, 前几代光刻机,比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的,解析度(精度)为13nm,单次构图间距为32nm到30nm
而要生产2nm的芯片,数值孔径要变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案,同时单次构图间距低于30nm