伴随着晶体管的研发成功,我国相关的科研进度也飞速加快,然而“天公不作美”,尽管我国努力在向着光刻机制造产业前进,但仍然困难重重
而光刻机,也被该委员会列为尖端科技产品,对于中国实施禁运,此时的中国也正式遭遇第一次“高科技卡脖”
注:图片来自仪器信息网 然而自主研发光刻机并非想象中那么简单
据数据显示,制造一台光刻机的精密零件需求为数万颗,而世界目前最先进的极紫外EVU光刻机则需要零件多达十多万
如此多的数目以及极其精密的数据要求,就成为了光刻机最根本的需求基础,因此传统的制造基础便成为了光刻机技术突破的基础产业要求之一
文 | 华商韬略 付磊 时代在发展,科技在进步,如果说科技是一个国家强盛的根基,那么半导体芯片的制造则代表着人类科技的发展水平,而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分
如今,我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程,然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产
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中国离7nm光刻机还有多远?
因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破,才能弥补这个差距
【中国光刻机的三次“突破”】 在1952年,我国步入计算机科研,国家也正是成立了计算机科研小组,而此时的中国相对于外国来讲,GDP仍然差距较大
直到1956年,我国正式开始重视半导体产业,并且成功研制出第一只晶体三极管,从此中国进入半导体的新纪元,然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间
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光刻机技术哪国最好
此时的中国就已经意识到了其重要性,快速向半导体产业进军
恰巧2000年的中国,正是大量爱国人士回国创业的时代,他们带着外国的先进知识和经验,进一步促使中国半导体的产业得到光速发展
2007年,上海微电子宣布研制出90nm的分布式投影光刻机,但由于大多数元器件来自国外,西方国家再次禁运,导致无法量产