据悉日本已成功突破5nm工艺，这是在无需采用ASML的EUV光刻机情况下达到的，此前美国也有企业研发了无需EUV光科技的工艺，似乎ASML正陷入众叛亲离的局面
由于成本过于昂贵，台积电和三星研发的3nm工艺如今都面临无客户采用的问题，甚至有消息指苹果考虑到成本问题预计明年的A17处理器仍然采用成熟的4nm工艺而不是3nm工艺
日本研发5nm取得重大进展
日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
中国自己制造的光刻机
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读盘速度：读盘速度挺快的，稳定性很好 读盘声音：目前感觉声音比较正常，算是比较安静的 稳定性能：性能稳定不会飞盘 轻薄程度：普通的标准大小吧 外形外观：整体外观密闭性挺好，材质看着也很不错 产品包装：包装设计觉为艺术规范很结实
无独有偶此前美国的芯片企业美光也成功研发出了无需EUV光刻机的1β(1-beta)制造工艺，显示出美国芯片企业也意图摆脱对ASML的依赖，其实美国芯片业界对ASML的打击并不止于此，它们甚至在挖ASML的根
读盘速度：先锋存储名不虚传啊，原来用的也是先锋的，用了有10年，终于退休了 读盘声音：声音很小，几乎听不到 稳定性能：稳定性超强，刻录CD非常快，音质也超棒 轻薄程度：外置光驱吗，都一样薄厚，没有太厚的 外形外观：外观就是比原来的降了档次，原来的机器都是金属外壳，现在的是工程PVC的，更轻一些 产品包装：产品包装结实，原封装，没动过，全新
早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统，它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光，而采用了电子束（EBA）刻印电路，精度远超采用极紫外线的EUV光刻机，工艺制程可以达到0.768nm，这对于ASML更是重大打击
日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺，在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了，用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元，而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机价格达到4亿美元
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