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光刻机_雕刻机_曝光系统

刻蚀机与光刻机有什么区别,光刻机到底是什么东西

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刻蚀机与光刻机有什么区别

芯片制造过程中,并不是一次曝光就可以完成的,在制造过程中要经历多次曝光,这也就意味着,在芯片制作过程中要进行多次对准操作

芯片的每个元件之间都只有几纳米的间隔,在这种情况下,掩膜与硅晶圆之间的对准误差都必须控制在几纳米范围内

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光刻机到底是什么东西

比起DUV光刻机,它把193nm的短波紫外线替换成了13.5nm的极紫外线,能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸

而EUV光刻机的光源来自于美国的Cymer,这个13.5nm的极紫外线是从193nm的短波紫外线多次反射之后得到的

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刻蚀机与光刻机有什么区别,光刻机到底是什么东西

与ASML的EUV光刻机相比,我们就像是拿着一把盒尺,想要测量国际米原器的精度一样

打破技术壁垒难度之大,可想而知

美国人为了遏制我们在半导体领域的发展,不但限制ASML出口给中国EUV光刻机,就连采用深紫外光的DUV光刻机都限制对我国出口

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ASML公司研发出了双工作台,在一个工作台完成扫描曝光的同时,另一个工作台也可以同时进行对准、调焦、下片等操作

最后就是耗电问题

EUV光刻机耗电非常高,它需要把整个工作环境都抽成真空以避免灰尘

EUV光刻机运行中每小时耗电至少150度

反射镜的作用是把模板上的电路图等比例缩小,在硅片上以电路图的形式呈现出来,这是制造芯片的关键元件

ASML公司EUV光刻机的反射镜来自德国蔡司

EUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件,成为了EUV光源的一项关键技术,需实现EUV波段的高反射率

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