近年来，我们看到了台积电不断将工艺的先进制程推向更高点，7nm，5nm，3nm，2nm，1nm...台积电在先进制程方面可谓是一骑绝尘
2020年，5nm量产
3nm，台积电一只独秀
2nm预计在2025生产
紧接着7nm的到来，英特尔还是无法实现突破，同时美国另一家芯片代工巨头格芯也是在7纳米制程中倒下
2020年，制程开始进入5nm时代，只有三星和台积电可以一拼
当英特尔终于宣布恢复两年的研发周期之时，三星和台积电早已把5nm量产提上了日程
这在当下晶体管体积越发接近原子体积时，将会越来越突出
而且台积电「环绕栅极式纳米片电晶体管」的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以缩小以最大限度地降低功耗和成本
为了给这些「纳米片电晶体管」提供足够的电能而且避免漏电损耗，台积电的N2制程使用背面配电线路（backside power rail）
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要知道，半导体行业进步的背后有着一条金科玉律，那就是「摩尔定律」
摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，封装在微芯片上的晶体管数量便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番
当FinFET结构走到了无法突破物理极限的时候，对新的晶体管技术提出了需求
台积电抢攻2nm王冠!ASML最强光刻机加持
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华为购买荷兰光刻机
但就芯片的单位面积晶体管密度而言，N2相较于N3，并没有N3相较于N5的进步程度
所以N2制程的亮眼程度或许不如预期中惊艳
台积电称将在各种产品上应用N2制程，例如移动设备SoC（集成系统芯片）、高性能CPU与显卡等
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