研发的光刻机计划达到EUV级别，但技术原理完全不同，是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机，成本相对低廉，X射线光刻机使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光还要短，因此光刻分辨率要高很多，加上俄罗斯具有雄厚的工业基础，可以一探究竟
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上海新阳光刻机最新进展
另辟蹊径，一心超越EUV近日有消息称俄罗斯正在开发一款全球领先的光刻机，甚至比ASML最先进的EUV光刻机还先进，俄罗斯莫斯科电子技术学院承接了贸工部开发制造芯片的光刻机项目，该项目由俄罗斯政府首期投资6.7亿卢布资金（约合5100万元人民币）
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美国为了阻碍中国半导体事业进步，将中国半导体生产限制在10nm以上，对中国实施了严格的禁售，而作为光刻机最重要的生产商阿斯麦，长期垄断这一市场，摄取高额的利润，阿斯麦发言人更是讽刺得说：“将全套的技术给中国，他们也生产不了光刻机”，此话一出，让无数国人愤怒又无奈
有网友表示，在财政困难的情况下，竟然拿出如此一笔巨款开发光刻机，相信俄罗斯是认真的，一旦研发成功或将也惠及中国半导体市场
毕竟俄罗斯苦美久已，不会遵守美国对中国的无理制裁要求
沉寂已久，重出江湖得益于雄厚的工业实力，日本在光刻机领域有着全球最多的专利，其中仅最尖端的EUV光刻机就占据了45.5%，但由于技术路线选择错误导致逐渐没落，但瘦死的骆驼比马大
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俄、日纷纷加紧研制新一代光刻机
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上海微电子作为02专项的集成设备厂商，目前还没有正式发布28nm的光刻机，由此看来，还需要一段时间，但随着中国铁了心地坚持自主研发，阿斯麦也没闲着，而是提前在中国发布能够生产28nm芯片的光刻机，并在中国大陆大量布局了光刻机相关专利，据说高达3000多项，很明显他要从市场和技术两方面同时限制中国光刻机的发展，始终认为中国才是他的唯一威胁，但俄、日也纷纷入场，阿斯麦将面临更多竞争
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