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而基于0.55NA数值孔径的光刻机,光刻分辨率将允许芯片缩小1.7倍、同时密度增加2.9倍,其处理晶圆的能力是每小时处理220片12寸晶圆左右,真正用于制造3nm以下的芯片
至于买家,当然只有台积电、三星、英特尔三家才有资格购买,其它的晶圆厂,能够买到0.33NA的EUV光刻机,就已经非常不错了,不要想这种0.55NA的
光刻机属哪个行业
很棒的机器,收到后就连刻四张CD,全部成功,播放音质震撼,和原版没有区别。上午到货,自营的商品物流就是快。放了一张盘,声音很小,很安静,手里没有空白盘,未尝试刻录功能。
不过据称,NXE:3600D型号的EUV光刻机,支持的工艺可能仅到3nm,如果要制造2nm的芯片,光刻精度还要提升,需要新一代的High-NA极紫外光刻机才行
而光刻精度怎么提升,就是数值孔径的提升了, 前几代光刻机,比如3400B/C、3600D的数值孔径都是0.33NA的,解析度(精度)为13nm,单次构图间距为32nm到30nm
一小时处理220片12寸的晶圆,其产能有多大?如果是苹果A16这样的芯片,一块晶圆可以切割600块左右,理论上一台这样的光刻机,一年可以就光刻10亿颗以上……至于价格方面,ASML表示,其0.55NA的下一代EUV光刻机单价将达到3亿多美元(约合20亿元人民币)
而要生产2nm的芯片,数值孔径要变为0.55NA,也就是解析度(精度)为8nm,这样可以更更快更好地曝光更复杂的集成电路图案,同时单次构图间距低于30nm
这种新的EUV光刻机叫做型号,就叫做EXE:5200,目前ASML已经有了规划,预计在2024年底,或者2025年交付
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ASML最新光刻机曝光:20亿一台
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读盘速度:速度快。 读盘声音:声音小。刻录声音也不大。 稳定性能:性能稳定。 产品包装:包装很好。
众所周知,制造7nm及以下工艺的芯片,需要用到EUV光刻机,而全球仅有ASML能够生产
ASML在2015年,就推出了第一代EUV光刻机WINSCAN NXE:3400B,之后在2019年推出了NXE:3400C,2021年推出了NXE:3600D
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