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除了设备过于昂贵之外，EUV光刻机的耗电量也是剧增，据悉台积电的耗电量占中国台湾省衡耗电量比例达到8%，如果引入第二代EUV光刻机，预计耗电量将进一步上涨，不知中国台湾能否撑得住，昂贵的电费让台积电已逐渐难以承受，这都导致采用光刻机的芯片制造工艺成本昂贵
早前美国一家精密制造企业Zyvex Labs就宣布研发成功光刻机系统，它舍弃了ASML等光刻机企业所采用的紫外光，而采用了电子束（EBA）刻印电路，精度远超采用极紫外线的EUV光刻机，工艺制程可以达到0.768nm，这对于ASML更是重大打击
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日本开发的NIL工艺是全球第一项无需光刻机的芯片制造工艺，此前已被铠侠用于存储芯片生产，此前日本方面就预计NIL工艺将可以演进至5nm，到去年底日本已将该工艺突破10nm，到如今不到1年时间又突破到5nm，可谓进展神速
无独有偶此前美国的芯片企业美光也成功研发出了无需EUV光刻机的1β(1-beta)制造工艺，显示出美国芯片企业也意图摆脱对ASML的依赖，其实美国芯片业界对ASML的打击并不止于此，它们甚至在挖ASML的根
因为发现别的品牌读盘能力都有不足，选了很多款，最终发现还是先锋的适应性更好！买了，确实不错！之后再买，就这个牌子了，店家发货很快，收藏店家，以后常来！
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和美国远离EUV
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国产光刻机相关的股票
日本和美国的芯片行业研发摆脱EUV光刻机的芯片制造工艺，在于采用EUV光刻机的芯片制造工艺成本实在太高了，用于7nm及以上工艺的DUV光刻机价格在3000-5000万美元，而第一代EUV光刻机价格达到1.2亿美元，第二代EUV光刻机价格达到4亿美元